1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
一、简易共沉淀法生长sb2o3纳米线及其光电性能的研究背景光电探测器是光通信中的关键器件,在通信、军事、医疗和安全监测等领域发挥着举足轻重的作用。
在可见光或近红外波段，光电探测器主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。
近些年来，为了实现光电探测的便携化和可穿戴化，高质量的光电探测器设计与制备受到了人们的日益关注。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
本项目拟采用简单共沉淀法生长Sb2O3纳米线，主要通过Sb粉在EDA中反应，控制不同浓度的反应物、反应时间与温度等影响因素，来生长结晶良好的Sb2O3纳米线。
同时通过在单晶硅片上涂敷不同的金属氧化物纳米线（如氧化钒），利用磁控溅射镀膜技术，探究利用不同金属氧化物纳米结构所设计的光电探测器的性能优劣，且研究在不同光照条件下，其对光的快速响应能力，并分析快速响应的具体机制，拓展Sb2O3纳米结构在微纳光电探测领域的应用范围。
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