二维半导体MoTe2与Fe3GeTe2电接触特性研究开题报告

1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

1.前言自石墨烯被成功制备以来，二维层状材料由于其优秀的光电性能及其在纳米器件方向的应用前景，引起了科学工作者的广泛关注，是当前材料研究的热点。

相对于体材料，二维材料往往会具有一些独特的物理和化学特性，这使其在未来材料科学发展中，成为能源、光器件及纳米电子器件等各个方面解决现有难题、创造新兴成果的推动者。

石墨烯（graphene）是最为典型的二维材料，于2004年由andre geim和konstantin novoselov成功制备[1,2]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1.要研究或解决的问题本课题基于密度泛函理论（dft），选取单层fe3gete2（fgt）作为金属电极，单层mote2作为沟道材料，利用materials studio、vasp、origin、vasta等软件，研究fgt/mote2接触的电学性质。

该课题的研究为基于mote2电子器件中金属电极的合理选择奠定基础。

2.拟采用的研究手段1. 能够利用materials studio构建本征mote2，fgt以及fgt/mote2接触模型结构图，懂得vasp软件的使用方法。