1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文献综述1.研究背景近几十年来，随着微电子集成电路产品不断向高性能和高密度方向发展，集成电路中元器件的特征尺寸将按照摩尔定律不断减小[1]。
为避免短沟道效应的出现，互补金属氧化物半导体（cmos）器件中传统的栅介质材料 sio2厚度越来越薄，最后达到物理极限，导致栅极漏电流急剧增加[2]，由此会带来器件功耗的增加及可靠性的降低。
为了解决这一问题，行之有效的方法是采用高介电常数材料取代传统的sio2栅介质层[3]。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
研究内容：1、掌握PLD制备薄膜的工艺及操作；2、优化超薄膜生长条件；3、制备系列厚度超薄HfO2薄膜；4、利用XRD等表征手段检测其相结构性质；5、分析相结构转变与厚度之间的关系；6、讨论转变机制。
研究手段：1.了解PLD技术原理、特点、主要工艺参数2.了解XRD、光相应谱、电学等数据分析、器件原理
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